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Siliziumwafer werden hauptsächlich in verschiedenen Bereichen wie Speicher, integrierte Logikschaltungen, Leistungsbauelemente und Sensoren usw. verwendet. Sie können auch direkt auf verschiedene Siliziumsubstrate wie CMOS, EPI und SOI aufgebracht werden..... Sie sind der Baustein building der modernen Elektronik. PGO TECH bietet Siliziumwafer mit unterschiedlichen Durchmessern (300 mm, 200 mm, 150 mm, 125 mm, 100 mm, 76 mm, 50 mm und 25 mm) in einer Vielzahl von Spezifikationen, die für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind.
Unsere Virgin-Silizium-Substrate werden aus hochreinem Silizium-Ingot hergestellt, wobei der bekannteste Kristallzüchtungsprozess namens Czochralski (CZ) verwendet wird.
PGO TECH entspricht auch den Energiespartrends, indem es ultrahochdotierte Siliziumwafer bereitstellt, um auf Anfrage RDS mit niedrigem Widerstand zu erfüllen, was ein wichtiger Faktor bei Niederspannungs-Leistungs-MOSFET-Bauelementen ist.
Die Wafer werden mit einer Stickstoffspülung getrocknet, um die Feuchtigkeit nach unten zu evakuieren, mit Klebeband versiegelt, doppelt verpackt (PE + Aluminiumbeutel) und dann in einer Reinraumumgebung der Klasse 1-10 vakuumverpackt.
Außerdem sind wir bestrebt, die Anforderungen unserer Kunden's entweder spezielle Spezifikationen oder Standard zu erfüllen.
Typische Siliziumwafer-Spezifikationen:
ART |
DOPANT |
DURCHMESSER (mm) |
spezifischer Widerstand (ohm.cm) |
Dicke |
P |
Bor |
50/76/100/125/150/200/300 |
0.0006-200 |
Von 160um-3000um |
N |
Phosphor |
50/76/100/125/150/200/300 |
0.0011-60 |
|
N |
Arsen |
50/76/100/125/150/200/300 |
0.002-0.01 |
|
N |
Antimon |
50/76/100/125/150/200/300 |
0.007-0.025 |
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Oberfläche |
Einseitig poliert (SSP) -Doppelseitig poliert (DSP) -wie geschnitten- geläppt- geätzt |
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Anwendung |
Speicher, integrierte Logikschaltung, Leistungsgerät, Sensor; Bezeichnung: Computer, Video- und Audiogeräte, DSC, Automobil, Mobiltelefon; Siliziumsubstrat wie CMOS, EPI, SOI, MEMS |
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http://de.pgosemi.com/